第277章 EUV光刻机与DUV光刻机！ (第1/2页)
　　
　　当然，此时的绝大部分记者们并不知道如果想要生产90纳米和65纳米芯片。
　　
　　其实不一定需要采用第5代浸没式光刻机技术，直接研发采用第四代的ArF干式光刻机技术也行。
　　
　　因为第四代的ArF干式光刻机的光源波长是193nm，这193nm光源波长理论上最高是能生产65纳米芯片的。
　　
　　但做事不能考虑到短期，还要考虑到长期乃至更长期的未来发展线路。
　　
　　第5代浸没式光刻机技术是个神奇的技术，这技术在去年2003年10月才正式研发完成并推出第一代光刻机产品。
　　
　　此时这第5代浸没式光刻机虽然已经有了许多技术专利墙在前，但还没有形成如同前世一样绝对无法突破的技术专利铜墙铁壁。
　　
　　此时的曙光科技还有着绕过阿思麦与台积店诸多浸没式光刻机技术专利墙的可能，所以能入局还是提前入局得好。
　　
　　否则等阿思麦与台积店在浸没式光刻机上注册的专利越来越多，然后彻底成为绝对无法突破的铜墙铁壁，那曙光科技就彻底失去了第五代浸没式光刻机技术的研发可能。
　　
　　虽然就算失去了第五代浸没式光刻机也似乎可以去直接研发第六代EUV光刻机，但这EUV光刻机实际相当于一个全新领域了。
　　
　　EUV光刻机采用的是13.5nm的极紫外线（EUV）光源，能加工7纳米以下的芯片，理论上直接上马第六代EUV光刻机更好。
　　
　　但实际EUV光刻机这东西想要落地并不容易，当前全球各大公司研发第六代EUV光刻机已经有几年的时间了。
　　
　　但按照前世历史，真正能商用的首台商用量产EUV光刻机还是在2019年，也就是说用了整整二十余年才研发完成第六代EUV光刻机！
　　
　　所以此时直接上马EUV光刻机不是不行，但并不符合当前时代的芯片生产需求，想要出结果也并不容易。
　　
　　人家西方研发了二十余年才让EUV光刻机落地量产，此时曙光科技想要用一两年时间让EUV光刻机落地这怎么可能。
　　
　　在这其中林晨如果知道前世EUV光刻机是怎么获得突破的也罢了，知道正确研发方向后肯定能快速出结果。
　　
　　但问题是林晨前世并没有深入了解学习过光刻机的技术知识，也不知道前世阿思麦公司是如何解决EUV光刻机的诸多技术难题。
　　
　　在这种情况下曙光科技如果真的研发EUV光刻机，那难度相当之大，几年的时间内都可能出不了结果。
　　
　　所以曙光科技才会想着研发更容易出结果的第五代浸没式光刻机，而不是研发实际几年内都有可能落地不了的第六代EUV光刻机。
　　
　　当然最重要的原因是第五代浸没式光刻机实际已经够用了，第五代浸没式光刻机技术理论上最高能生产7纳米的芯片。
　　
　　这7纳米的芯片是真正的7纳米的芯片栅极长度，并不是前世那样号称7纳米芯片，实际却是修改算法自欺欺人搞营销的7纳米芯片。
　　
　　在前世制程工艺虚标最夸张的就是三惺的制程工艺，他们曾经用新算法将10纳米制程工艺定义为7纳米制程工艺。
　　
　　结果前世的稿通公司还真信了，直接大喜的让三惺为稿通生产7纳米手机芯片。
　　
　　
　　
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